2019ko Q2 Hynix-ek bigarren belaunaldiko 10nm prozesuko memoria sortuko du

  SK hynix-ek duela gutxi agerian utzi zuen konpainiak bere lehen belaunaldiko 10 nanometroko fabrikazio-prozesua (hau da, 1X nm) DRAM ekoizpena handituko duela, eta bigarren belaunaldiko 10 nanometroko fabrikazio teknologia (1Y nm izenarekin ere ezaguna) saltzen hasiko dela. urtea. Memoria. 10nm teknologiako trantsizioa azkartzeak konpainiak DRAM irteera handitzea ahalbidetuko du, azken batean kostuak murriztuz eta hurrengo belaunaldiko memoriarako prestatuz.

SK Hynix 1Y nm ekoizpen teknologia erabiliz fabrikatutako lehenengo produktuak 8Gb DDR4-3200 memoria-txipa izango dira. Fabrikatzaileak dio 8Gb DDR4 gailuen txiparen tamaina% 20 murriztea eta bere potentzia kontsumoa% 15 murriztea, 1X nm fabrikatzeko teknologia erabiliz fabrikatutako antzeko gailuekin alderatuta. Gainera, SK hynix-en hurrengo 8Gb DDR4-3200 txipak bi hobekuntza garrantzitsu ditu: 4 faseko erloju eskema eta Sense anplifikadorearen kontrol teknologia.

Aurten DDR4rentzako teknologia garrantzitsuak badira ere, SK hynix-ek bere 1Y nm fabrikazio prozesua erabiliko duela esan ohi da DDR5, LPDDR5 eta GDDR6 DRAM fabrikatzeko. Hori dela eta, Hynix-ek bigarren belaunaldiko 10 nanometroen fabrikazio teknologia berritu behar du ahalik eta lasterren etorkizunerako prestatzeko.